公开号：	US7463665B2
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体激光二极管
摘要：	本专利是一个半导体激光二极管，它的基座上有第一覆盖层；位于第一覆盖层上的反应层；反应层上的第二覆盖层，它有一个条状区将电流导入反应层；位于条状区两端的发光部分，以及一个限制条状区电流的阻电层。阻电层下表面至反应层上表面的距离范围给定。另外电流在通过条状区到达反应层之前会发散成一定宽度。