公开号：	US7454102B2
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	光学耦合结构
摘要：	本专利涉及了一个光电耦合结构，及其生产方法和操作方法。光学耦合结构包括了一个在SOI基底设备层中形成的光波导。一个棱镜被置于SOI(绝缘硅)基底的底部。SOI的BOX层位于波导和棱镜之间，作为将光耦合从棱镜导向波导的间隔区。通过在波导下放置棱镜，光电集成电路IC将更适应于棱镜。棱镜可焊接在SOI基底的大体积层上或是直接连接到BOX层的下表面。