公开号：	US7446868B1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	半导体的微缺陷
摘要：	本专利涉及在室温下利用光激发光在有效时间里检测半导体或硅缺陷的方法和设备。专利采用了光斑尺寸在0.1mm到0.5微米间，峰值或平均功率104-109w/cm2的高密度光源，以激发高浓度的载流子。载流子的载流特性能够检测到半导体缺陷。这些缺陷通过生成半导体的光激发光图像而可见。在选定深度上一些波长能用来检测认定缺陷，同时共焦光器件也可能被使用。