公开号：	US7443901B2
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	光学
专利名：	光学半导体设备
摘要：	本专利是一个光学半导体设备。光学半导体元件包括一个半导体基底，多层半导体层，它在半导体基底第一表面形成并拥有共振器，在多层半导体层上形成的拥有并联导电层的第一电极，在半导体基底第二表面上形成的第二电极。支持基底有一个第一表面，这个表面的固定部分有一个导电层，该层用粘着剂将第一电极固定到自身。构成第一电极的粘着剂和导电层反应形成一个反应层。半导体基底和支持基底间的热膨胀系数的差异不超过±50%。第二防护金属层不与粘着剂反应，它位于第一电极最高导电层上，该导电层则与粘着剂反应形成反应层。