公开号：	US2006132798A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	半导体元件制造工艺端点确定的方法和仪器
摘要：	本发明讲述了对应于正在被处理的第一材料的一个预定步高的相干光的具有不同值的标准模式和对应于一个预定的剩余遮罩层材料的厚度的相干光的具有不同值的标准模式。这些标准模式使用波长作为参数。然后测量与第一材料具有相同结构的第二材料的多波长的干涉光的强度。使用波长作为参数的实际模式由测量的干涉光强度的不同值决定。基于标准模式和实际模式的不同值，第二材料的步高和剩余遮罩层材料的厚度也因此确定了。