公开号：	US2006138366A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	光刻工艺控制的方法和系统
摘要：	本发明提供了评价和控制光刻工艺的方法和系统。例如，在光刻工艺的一个关键度量上减少晶片内变异，包括测量至少一个在光刻工艺中抵抗处理的晶片的性质。光刻工艺的关键度量包括但不限于在光刻工艺中的一个特性的关键尺寸。方法包括改变光刻模型中的至少一个因素以减少晶片内关键度量的变异。光刻模型的参数在至少一个被测特性改变时会相应的改变。