| 摘要： | 开关模式DC-DC电源转换器，使用一个或多个非硅基底的开关晶体管和硅基底的（例如，CMOS）控制器。非硅基底的开关晶体管可能包括，但不一定限于，III-V族化合物半导体设备，如砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET的），以及诸如高电子迁移率晶体管异质结场效应管半导体器件（?HEMT器件）。据该项发明的体现，非硅基底的开关晶体管的低品质系数（FOM），tau<SUB>FET</SUB>，允许本发明的转换器用于高带宽的技术设计的包络无线设备的跟踪放大器，如无线设备，例如，EDGE和UMTS，从而提高无线设备的效率和节省电池的能力。 |