公开号：	US2006267676A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	控制和材料分析
专利名：	低功耗和漏电流的电压供应
摘要：	在半导体集成电路中，一电路块具有第一MOS晶体管，一泄露电流控制电路具有第二MOS晶体管和一电流源，第二MOS晶体管的源极和漏极电路在电路块的电压供应线和电压点之间形成，其中供应操作电压。电流源被连接到电压供应线且处于第一状态时，电压供应线通过第二MOS晶体管驱动第一电压。处于第二状态时，电压供应线通过电流源中的电流流动被控制在第二电压，同时电压供应通过该源且处于第二状态的第一MOS晶体管的漏极小于电压供应通过该源且处于第一状态的第一MOS晶体管。