公开号：	US2008042142A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	高分子化合物
专利名：	一种高耐热合成聚合物和一种耐高电压半导体器件
摘要：	在宽禁带半导体器件外表面覆盖着合成高分子化合物。合成聚合物是由第三型有机硅聚合物的多元化共价连接构成，具有三维空间结构。第三型有机硅聚合物通过加成反应得到。加成反应发生在一种或多种具有（硅-氧-硅键）桥连结构的第一型有机硅聚合物和一种或多种具有硅氧烷键线性结构的第二型有机硅聚合物之间。绝缘陶瓷微粒与合成聚合物的完美混合使其具有高导热性。