公开号：	US2007005286A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	发明名称：半导体存储器的制造方法和检测装置
摘要：	摘要：一个测试装置包括一个模式存储器用于存储测试模式被输入到一个内存下测试，一个地址生成单元用于顺序输出内存下测试的地址，测试模式被写入其中。一个指示器单元用于顺序的指示记忆模式的每个地址，导致输出与内存下测试地址同步的测试模式。一个坏块存储器，用于存储内存下测试的坏块的地址，和一个指针控制单元，使地址产生单元输出内存下测试的下一个地址，而持有指针部分输出地的模式内存地址，此时地址产生单元产生的内存下测试的地址与坏块内存中存储的任何一个地址一致。