公开号：	US2006275614A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	橡胶
专利名：	相同的方法制备绝缘膜与成膜合成物
摘要：	绝缘膜的形成方法包括：在基板上形成聚硅氧烷绝缘薄膜;聚硅氧烷绝缘薄膜的表面形成了聚碳硅烷绝缘膜，并通过等离子体化学气相沉积法（CVD）在聚碳硅烷绝缘膜表面形成了CVD绝缘膜，聚硅氧烷绝缘膜是由硅烷化合物的水解和缩合形成的，而聚碳硅烷绝缘膜，是将制得的聚碳硅烷化合物溶液，加热涂覆而形成的。