| 摘要： | 本发明提供分析诸如半导体晶片物体缺陷的方法、设备及系统。举例来讲，在半导体制造工厂制造的时候，可以提供检测半导体晶片缺陷的方法。该方法包括以下步骤。检测半导体晶片，以找出缺陷。标出相应的缺陷后，存入缺陷文件。双带电粒子束系统利用缺陷文件，自动导行到标定的缺陷附近。缺陷被自动识别，并获得缺陷特征的带电粒子束图像。然后，利用带电粒子束图像分析缺陷的特征。对缺陷进一步分析后，就可确定方案。该方案会自动被执行，利用带电粒子束切除有缺陷的部分。切除哪一部分是基于对带电粒子束图像的分析。最后，对被带电粒子束切除后暴露出的表面进行成像已获得关于缺陷的额外信息。 |