公开号：	US2006143993A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	表面加工应用材料
专利名：	化学机械抛光泥浆合成物以通过这种方法制造半导体器件
摘要：	泥浆合成物及将化学机械抛光过程用在制造半导体器件的方法可能含有表面活性剂和阳离子高分子化合物。表面活性剂和阳离子高分子化合物可能在暴露的多晶硅层的表面形成一级和二级的钝化层。