公开号：	US2006189148A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	表面加工应用材料
专利名：	含有氮化物层和腐蚀剂的晶体管及其形成的方法
摘要：	这里提供了含有氮化物层和腐蚀剂的晶体管及其形成的方法。绝缘层和/或金属氮化物层可能在半导体基底上形成。一个遮罩层可在金属氮化物层形成。使用腐蚀遮罩层作为掩膜，蚀刻工艺在金属氮化物层上进行，形成了金属氮化层模式。一种可能含有氧化剂，螯合剂和/或pH值调整的混合物的腐蚀剂可以进行蚀刻。该方法可减少蚀刻在一个晶体管形成氮化层模式下破坏绝缘层。