公开号：	US2008200036A1
大类：	国外
行业类型：	化学
行业内分类：	表面加工应用材料
专利名：	用于二氧化硅和氮化硅层的刻蚀介质
摘要：	本发明涉及一种新型刻蚀介质，它具有非牛顿流体行为，可以用于太阳能电池表面的刻蚀。此外，本发明还涉及刻蚀和掺杂介质既可以用于无机层的蚀刻，还可以基础层的掺杂。特别的，含少量此介质的混合物可以通过它们对极好的结构进行不破坏毗邻区的刻蚀。