公开号：	US2007108052A1
大类：	国外
行业类型：	仪器
行业内分类：	测量
专利名：	氢传感器
摘要：	这里介绍基于电阻的多孔硅传感器，它在氢传感层具有钯纳米结构。该氢传感器包括一个T-型硅基板，该基板是渗透性硅刻蚀形成纳米孔基板。然后把基板用钯进行镀膜，并在900度条件下退火。这样在多孔硅上得到氧化钯，并在基板上形成一个薄钯层。传感器依据本设计给出氢气浓度与电阻值的反向变化关系。